点击图片查看原图
AR251全极高灵敏度低电压霍尔开关
霍尔元件AR251是基于CMOS工艺设计和生产的霍尔IC，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，互补推挽输出。它是一种双磁极性磁感应开关，能够感应到磁体的N极和S极的磁场强度，AR251通过周期性休眠和唤醒工作，达到降低功耗的作用。，唤醒期间检测环境磁场强度，休眠状态保持最后输出状态。
霍尔磁性开关AR251有TSOT-23、TO-92S，超小超薄DFN封装，适合用于越来越轻薄的便携移动设备中，所有封装都符合RoSH环保标准。
产品特性及优点
低功耗，IDD=5uA
等同敏感N和S极
互补推挽输出
灵敏度温漂小A
高灵敏度
工作电压1.65~6V
无铅封装：SOT-23/TSOT-23/TO-92/DFN
霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在特定温度以下将呈现极强的霍尔效应。
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
霍尔开关又分：单极性霍尔开关、双极性霍尔开关、无极性霍尔开关（或全极性霍尔开关），这里的极性是指磁铁的极性N极（北极）或S（南极）极，那么单极性霍尔开关是指开关的正反面会指定磁场某一极性靠近离开才会有开关效应。一般情况单极霍尔开关的的正面（字面）会指定磁场S极有效，霍尔开关的反面靠近N极有效 ，欢迎致电，为您提供指导选型，让您开发无优！如果你是采购，请告知贵司所需求的型号，如果你是工程并正在选型，请告知贵司的要求
